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武漢普賽斯儀表有限公司

半導體器件參數分析儀iv+cv測試儀

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企業名稱:武漢普賽斯儀表有限公司

企業商鋪:http://www.xueyisi.cn/u253098/

聯系地址:武漢市東湖新技術開發區光谷三路777號—6號保稅物流園2號樓4樓

產品分類

詳細信息

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半導體器件參數分析儀iv+cv測試儀優勢

IV、CV一鍵測;一體機,支持遠程指令控制;支持三同軸接探針臺

能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測試;詳詢一八一四零六六三四七六;


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產品特點:

30μV-1200V;1pA-100A寬量程測試能力;

測量精度高,全量程下可達0.03%精度;

內置標準器件測試程序,直接調用測試簡便;

自動實時參數提取,數據繪圖、分析函數;

在CV和IV測量之間快速切換而無需重新布線;
提供靈活的夾具定制方案,兼容性強;

免費提供上位機軟件及SCPI指令集;

典型應用:

納米、柔性等材料特性分析;

二極管;

MOSFET、BJT、晶體管、IGBT;

第三代半導體材料/器件;

有機OFET器件;

LED、OLED、光電器件;

半導體電阻式等傳感器;

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管;

電阻率系數和霍爾效應測量;

太陽能電池;

非易失性存儲設備;

失效分析;


系統技術規格

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訂貨信息



模塊化構成:

低壓直流I-V源測量單元

-精度0.1%或0.03%可選
-直流工作模式
-Z大電壓300V,Z大直流1A或3A可選
-最小電流分辨率10pA
-四象限工作區間
-支持二線,四線制測試模式
-支持GUARD保護


低壓脈沖I-V源測量單元

-精度0.1%或0.03%可選
-直流、脈沖工作模式
-Z大電壓300V,Z大直流1A或3A可選,Z大脈沖電流10A或30A可選
-最小電流分辨率1pA
-最小脈寬200μs
-四象限工作區間.
-支持二線,四線制測試模式
-支持GUARD保護


高壓I-V源測量單元
-精度0.1%    
-Z大電壓1200V,Z大直流100mA

-最小電流分辨率100pA
-一、三象限工作區間
-支持二線、四線制測試模式
-支持GUARD保護


高流I-V源測量單元

-精度0.1%
-直流、脈沖工作模式.
-Z大電壓100V,Z大直流30A,Z大脈沖電流100A
-最小電流分辨率10pA

-最小脈寬80μs
-四象限工作區間
支持二線、四線制測試模式
-支持GUARD保護


電壓電容C-V測量單元

-基本精度0.5%
-測試頻率10hZ~1MHz,可選配至10MHz
-支持高壓DC偏置,Z大偏置電壓1200V
-多功能AC性能測試,C-V、 C-f、 C-t


硬件指標-IV測試

半導體材料以及器件的參數表征,往往包括電特性參數測試。絕大多數半導體材料以及器件的參數測試,都包括電流-電壓(I-V)測量。源測量單元(SMU),具有四象限,多量程,支持
四線測量等功能,可用于輸出與檢測高精度、微弱電信號,是半導體|-V特性測試的重要工具之-。SPA-6100配置有多種不同規格的SMU,如低壓直流SMU,低壓脈沖SMU,大電流SMU。用戶可根據測試需求靈活配置不同規格,以及不同數量的搭配,實現測試測試效率與開支的平衡。


靈活可定制化的夾具方案

針對市面上不同封裝類型的半導體器件產品,普賽斯提供整套夾具解決方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點,可
用于二極管、三極管、場效應晶體管、IGBT、SiC  MOS、GaN等單管,模組類產品的測試;也可與探針臺連接,實現晶圓級芯片
測試。

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探針臺連接示意圖

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SPA-6100半導體器件參數分析儀iv+cv測試儀是武漢普賽斯自主研發、精益打造的一款半導體電學特性測試系統,具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優勢。產品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試,旨在幫助加快前沿材料研究、半導體芯片器件設計以及先進工藝的開發,具有桌越的測量效率與可靠性。

基于模塊化的體系結構設計,SPA-6100半導體參數分析儀可以幫助用戶根據測試需要,靈活選配測量單元進行升級。產品支持Z高1200V電壓、100A大電流、1pA小電流分辨率的測量,同時檢測10kHz至1MHz范圍內的多頻AC電容測量。SPA-6100半導體參數分析儀搭載普賽斯自主開發的專用半導體參數測試軟件,支持交互式手動操作或結合探針臺的自動操作,能夠從測量設置、執行、結果分析到數據管理的整個過程,實現高效和可重復的器件表征;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測試需求。詳詢一八一四零六六三四七六;


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